Wafer Metrologie
Wafer Metrologie
- Die genaue und zuverlässige Wafer-Metrologie mit konfokaler Technologie gewährleistet hochauflösende, artefaktfreie Messungen für eine präzise Prozesskontrolle und optimale Leistungsfähigkeit der Komponenten.
- Nahtlose Integration in bestehende Fab-Umgebungen zur Downtime-Minimierung und zur beschleunigten Implementierung modernster Messlösungen
- Flexibilität und Vielfältigkeit zur Anpassung an verschiedene Wafergrößen, Materialien und Designs, die eine schnelle Adaption neuer Prozesse und Technologien ermöglichen.
Wafer Metrologie mit Confovis
Wafer Messungen spielen eine entscheidende Rolle bei der Sicherstellung der Genauigkeit und Qualität in der Halbleiterfertigung. Confovis hat einen einzigartigen Ansatz für die Wafer-Metrologie entwickelt, der die Structured Illumination Microscopy (SIM) und die Fokusvariation (FV) kombiniert, um eine beispiellose Genauigkeit bei 2D- und 3D-Wafer-Messungen zu gewährleisten. Diese kombinierte Technologie ermöglicht die gleichzeitige Erfassung von feinsten lateralen Details und präzisen vertikalen Informationen.
Mit dem Fokus auf die Erhöhung der Ausbeute und der Prozesskontrolle bieten die Confovis WAFERinspect Systeme umfassende Lösungen, bei denen ein einziges System sowohl 2D- als auch 3D-Messungen durchführt, was die Notwendigkeit von mehreren Systemen reduziert und die Prozesskontrolle vereinfacht.
Jedes System ist für eine nahtlose Integration konzipiert und bietet eine hohe Flexibilität und Vielseitigkeit im Handling unterschiedlichster Wafergrößen und Materialien. Ideal für Branchen wie Photonik, MEMS, Leistungshalbleiter, 3DIC und Advanced Packaging.
Wafer Metrologie - Unsere Highlights
Laterale Auflösung unterhalb der Diffraktion
Durch die Verwendung eines strukturierten Beleuchtungsmusters geht SIM über die traditionellen Diffraktionsgrenzen der optischen Mikroskopie hinaus und erzeugt hochauflösende Bilder, die eine bessere Kontrolle der Critical Dimensions (CD) und Overlays ermöglichen.
Präzise vertikale Messungen
FV misst vertikale Merkmale durch Analyse der Fokusebene verschiedener Bereiche auf dem Wafer. Dies ermöglicht genaue Topografie- und Tiefenmessungen, insbesondere bei rauen Oberflächen, 90°-Neigungen, Rauheit, Tiefenprofilen und Stufenhöhe. hts bietet eine Auflösung im Nanometerbereich auf transparenten und stark reflektierenden Oberflächen.
Zerstörungsfreie Metrologie
Sowohl SIM als auch FV sind berührungslose Wafer-Messverfahren, die die Integrität empfindlicher Halbleiterwafer und -strukturen sicherstellen.
Hoher Durchsatz
Die Kombination von SIM und FV ermöglicht schnelle 2D- und 3D-Wafer-Messungen ohne Abstriche bei der Genauigkeit.
Flexibilität und Vielseitigkeit
Die WAFERinspect-Systeme von Confovis können mit einer Vielzahl von Materialien und Wafergrößen umgehen und lassen sich daher an nahezu jeden Halbleiterprozess anpassen, einschließlich MEMS, Leistungshalbleiter, 3DIC, Advanced Packaging und Photonik.
Einsatzmöglichkeiten der 2D- und 3D-Wafer-Metrologie-Systeme von Confovis
Der kombinierte SIM- und FV-Ansatz ist insbesondere für moderne Halbleitertechnologien von Vorteil, bei denen sowohl laterale als auch vertikale Messungen für die Prozesskontrolle entscheidend sind.
Zu den wichtigsten Anwendungen unserer Halbleiter-Metrologie-Lösungen gehören:
- Bei photonischen integrierten Schaltkreisen (PICs) sind präzise seitliche Abmessungen von Wellenleitern, Gittern und anderen Strukturen von entscheidender Bedeutung, während vertikale Messungen von geätzten Merkmalen und Oberflächenprofilen eine optimale Geräteleistung gewährleisten.
- MEMS-Komponenten haben komplexe Topografien und mehrschichtige Strukturen. Der Ansatz von Confovis bietet eine genaue Charakterisierung von Topografien, Oberflächenrauheit und kritischen Abmessungen (CD), um eine sichere und zuverlässige Leistung der Geräte zu gewährleisten.
- Advanced Packaging und 3DIC - Mit der lateralen Auflösung der Structured Illumination Microscopy und der Fokusvariations-Tiefe können die Confovis Tools Critical Dimensions in Redistribution Layers (RDL), Micro-Bumps und Through-Silicon Vias (TSV) genau auflösen.
- Leistungshalbleiter - Die Einhaltung der korrekten Ausrichtung und Feature-Höhe ist entscheidend für die Leistungsfähigkeit von Leistungshalbleitern. Der kombinierte Ansatz von Confovis bietet die für die Prüfung dieser Parameter erforderliche Präzision.
CONFOVIS TECHNOLOGIEN für die Wafer-Metrologie
Wafer Metrologie Tools
Confovis bietet hochmoderne Wafer Inspektions- und Messsysteme, die auf die jeweiligen Kundenanforderungen zugeschnitten sind und die neueste konfokale Technologie mit Präzision und Flexibilität kombinieren.
Unsere Systeme liefern präzise Messungen für eine breite Palette von Materialien und Designs und lassen sich leicht in bestehende Prozesse integrieren. Unsere Systeme unterstützen sowohl die 2D- als auch die 3D-Metrologie und sind auf die Herausforderungen der modernen Halbleiterfertigung ausgerichtet.
Alle unsere Wafer-Metrologiesysteme können je nach Anforderung mit zusätzlichen AOI- und Wafer-Inspektionsfunktionen erweitert werden.
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