Karriere bei confovis

Mit unseren konfokalen Messsystemen wird eine Probe in mehreren Ebenen abgescannt und der Kontrast zwischen den aufeinanderfolgenden Bildern berechnet. Daraus resultiert schließlich eine Kontrastkurve mit (mindestens) einem Maximum. Durch Messstörungen oder optische Effekte ist das Maximum nicht immer eindeutig definiert und Fehler in dessen Bestimmung resultieren in Messfehler. Mit der Verfügbarkeit einer Vielzahl dieser Kontrastkurven ist das Ziel der Arbeit zu ermitteln inwiefern KI genutzt werden kann, um das Maximum zuverlässig zu bestimmen.

Die automatische Inspektion von Wafern in der Halbleiterproduktion ist ein wachsender Geschäftszweig. Bei dieser Aufgabe geht es darum, basierend auf Graubildern der Wafer eine Qualitätseinschätzung abzugeben. Basierend auf Bildern und der Bewertung von Experten soll ein KI-gestütztes Model entwickelt werden, das eine Bewertung der Wafer ausschließlich anhand eines Graubildes ermöglicht.

Aufgrund der eingesetzten Objektive und der Belichtung kommt es zu optischen Artefakten (zum Beispiel Bildfeldwölbung). Diese Artefakte resultieren in Messungenauigkeiten des optischen Verfahrens und müssen korrigiert werden. Diese Korrekturen sind mathematisch komplex und aufwendig und bieten daher Potential zur Optimierung.

Die Erkennung von Defekten in der Halbleiterproduktion ist ein wichtiges Instrument zur Qualitätssicherung. Wir entwickeln und produzieren Systeme zur automatischen Detektion von verschiedenen Defekten auf Wafern. Die Herausforderung ist, dass sich verschiedene Defekttypen je nach Beleuchtung unterschiedlich darstellen. Ziel dieser Aufgabe ist es, die Beleuchtungsparameter so zu optimieren, dass möglichst viele Defekte erkannt werden.

Wafer-Substrate sind nur in der idealen Welt 100%-ig flach. In der Realität weisen diese oft ein so genanntes Bending oder Warpage auf, welches die Notwendigkeit einer automatisierten Fokusnachführung während einer Scan-Messung aufwirft. Eine Möglichkeit, dem zu begegnen, ist die Aufnahme eines Fokus-Rasters vor der Wafer-Messung. Die Aufnahme eines solchen Fokusrasters benötigt mehrere Eingangsparameter und Annahmen, welche die Dimensionen des Wafers und die verwendete Beleuchtungsoptik betreffen. Ziel soll es sein, all die verfügbaren Wafer- und Maschinenparameter heranzuziehen, um auf dynamische Weise die notwendige Frequenz und die Positionierung des Rasters vor der Ausführung festzulegen.